Nvidia получит HBM5 без TSMC: Samsung переводит базовый кристалл на свои 2 нм

Строящуюся линию NRD-K 2 переводят из исследовательской в производственную. Она станет send-fab: вспомогательный фаб, который принимает пластины с других линий под один конкретный процесс. Главный продукт линии — 2-нм базовые кристаллы для HBM5 под поставки Nvidia (ZDNet Korea, 14.08).

Базовый кристалл лежит в основании стека памяти и гоняет данные между HBM и видеочипом. Кто его печатает, тот и держит самую дорогую деталь ИИ-ускорителя.

Раньше 4 нм, теперь 2. Базовые кристаллы HBM4 и HBM4E Samsung делает на обкатанном 4-нм процессе четвёртого поколения. С HBM5 они уходят на 2 нм с GAA-транзисторами и более плотными сквозными соединениями через кремний. Об этом 27 июля 2026 года написал Ку Джахым, глава технологического развития Samsung Foundry. Там же он пообещал HBM5 более чем на 50% быстрее HBM4E.

Схема без TSMC. SK hynix берёт базовый кристалл HBM4 у TSMC на 12-нм процессе (Seoul Economic Daily, 02.06). Samsung собирает весь стек у себя. Core die печатает подразделение памяти, базовый кристалл — foundry, сборку стека ведёт TSP. Компания считает, что общая настройка скорости, тепла и выхода годных с этапа проектирования сокращает путь до массового производства.

В комплекс NRD-K Samsung вкладывает около 20 трлн вон: три линии к 2030 году, первая закончена в конце 2024-го (TrendForce, 14.08). Физический макет HBM5 компания показала на Computex 2026 в Тайбэе, готовятся конфигурации на 12, 16 и 20 слоёв DRAM. Оборудование под перепрофилированную линию ещё не заказано, и план может измениться.