28 августа 2026 г.
Память для ИИ-ускорителей начнут паковать в США: первые чипы пойдут в 2029 году
SK hynix вложила $3,87 млрд в упаковку HBM в Индиане, а первые стопки оттуда пойдут только во второй половине 2029 года.
27 августа SK hynix заложила в Индиане первую в США площадку упаковки HBM. Кристаллы для неё по-прежнему будут делать в Южной Корее.
HBM ставят вплотную к ИИ-ускорителю, и своей площадки для сборки такой памяти в США до сих пор не было. Теперь она появится, но заработает через три года.
Раньше южнокорейцы держали в США только логику: Samsung делает там чипы по контракту. Память оставалась дома. Гендиректор SK hynix Квак Но Чжун обещает к 2030 году сделать Индиану ключевой базой производства HBM в США и обойти по этому профилю американскую Micron.
Что построят. Завод не делает кристаллы: пластины DRAM режут в Южной Корее, а в Индиане их собирают в стопки HBM, проверяют на надёжность и отгружают американским заказчикам. Мощность площадки — несколько сотен тысяч пластин в год.
Сроки. Стройка начинается в октябре 2026, чистая комната открывается в октябре 2028, серийная упаковка стартует во второй половине 2029. Паковать будут HBM4E, седьмое поколение памяти.
В пресс-релизе SK hynix стоит $3,87 млрд, совокупно проект оценивают более чем в $4 млрд. Сверху идут государственные деньги: до $458 млн грантов и $500 млн кредитов по CHIPS Act, а штат Индиана добавляет $712 млн субсидий. Для штата это крупнейшая частная стройка в его истории.
На самом заводе рассчитывают на 1000 рабочих мест, вместе с косвенными — около 7000. Рядом встанет исследовательский центр по упаковке: SK hynix подписала соглашение о совместных исследованиях с Университетом Пердью.
К 2030 году SK Group обещает довести свои инвестиции и активы в США до $45 млрд.
Первоисточник