31 августа 2026 г.
Память для ИИ-ускорителей начали делать и в КНР: CXMT запустила пробный выпуск HBM3E
CXMT собрала первые партии HBM3E: если брак не перевесит, массовый выпуск может пойти через несколько недель.
CXMT запустила пробное производство HBM3E малыми партиями. Такую память для ИИ-ускорителей в КНР нельзя купить с декабря 2024 года.
HBM стоит на одной подложке с вычислительным чипом и кормит его данными, без неё ИИ-ускоритель не собрать. Серийно её делают три компании: Samsung, SK hynix и Micron.
Правило Минторга США от 2 декабря 2024 года ограничило поставки передовой HBM в КНР, включая память, произведённую за пределами США. После этого китайские разработчики чипов остались без внешнего источника HBM3E.
Кто уже пробует. Память CXMT тестируют T-Head (Alibaba) и Cambricon (The Information, 31.08). Массовый выпуск возможен в течение нескольких недель, если доля годных чипов подтвердится.
По мощностям CXMT прибавляет быстрее всех. В 2026 году она добавляет 85 тыс. пластин в месяц, больше любого из трёх лидеров (SemiAnalysis, 27.07). Чистые комнаты компания строит за 12 месяцев, конкуренты тратят два года (3DNews, 31.08).
Качество отстаёт. На прошлом поколении HBM3 8-Hi годными у CXMT выходит около четверти чипов, а бит памяти DDR5 обходится ей больше чем на 30% дороже, чем лидерам (SemiAnalysis, 27.07). Samsung, SK hynix и Micron тем временем серийно выпускают уже следующее поколение, HBM4. Отставание оценивают в три-пять лет (The Decoder, 31.08).
На рынке обычной DRAM у CXMT сейчас около 300 тыс. пластин в месяц на трёх фабах и 7,6% рынка, четвёртое место в мире (TrendForce, первый квартал 2026).
Коммерческие процессоры T-Head и Cambricon с этой памятью заявлены на 2027 год.
Первоисточник