15 сентября 2026 г.
Китайская память почти догнала лидеров: разрыв с Южной Кореей сократился до 1–3 лет
По оценке KSIA, которую iXBT привёл 15 сентября 2026 года, Китай отстаёт от Южной Кореи на 1 год в NAND, 2 года в DRAM и 3 года в HBM. Ещё недавно разрыв оценивали более чем в 5 лет. Во втором квартале 2026 года CXMT заняла 10% мирового рынка DRAM против 4% годом ранее, а YMTC подняла долю NAND до 14% против 9%.
YMTC и CXMT догоняют лидеров без EUV-литографии. В 2025 году Samsung и SK hynix выпускали NAND более чем со 300 слоями, а YMTC выпускала 270-слойную память.
YMTC планирует перейти к 400 слоям в 2027 году. CXMT уже массово выпускает LPDDR5X и начала производство LPDDR6, сообщал Wccftech 15 сентября 2026 года.
Следующий рубеж. CXMT тестирует HBM3E с китайскими fabless-компаниями, включая T-Head, и планирует использовать эти чипы в IT-продуктах уже в 2027 году. HBM3E отстаёт на одно поколение от HBM4, который выпускают Samsung, SK hynix и Micron.
CXMT встроила в HBM-решения технологию X-Stacking YMTC. Wuhan Xinxin упаковывает пластины, а Tongfu Microelectronics занимается сборкой и тестированием.
Масштаб производства. К концу 2026 года CXMT планирует выпускать 300 тысяч 300-мм пластин в месяц на трёх фабриках, включая около 50 тысяч пластин для HBM. Новые фабрики могут поднять выпуск до 600 тысяч пластин в месяц.
Citrini Research оценила мощность CXMT к концу 2026 года в 350 тысяч DRAM-пластин в месяц против 375 тысяч у Micron, сообщал Tom's Hardware 15 июля 2026 года.
В 2027 году CXMT планирует использовать HBM3E в IT-продуктах, а YMTC перейти к 400-слойной NAND.
Первоисточник
