17 сентября 2026 г.
Память для ИИ стала выносливее: структура выдержала 10 млрд перезаписей
10 сентября 2026 года в Science описали вюрцитные ферроэлектрики, выдержавшие более 10 млрд циклов переключения. Это примерно в 100 раз выше прежнего предела, около 10^8 циклов. Ruiqing Wang и соавторы встроили ультратонкие слои AlN в плёнку AlScN и добавили протокол dynamic recovery.
До этой работы вюрцитные ферроэлектрики обычно выходили из строя примерно на 10^8 циклов. Новая суперрешётка AlScN/AlN выдержала 4,6×10^9 циклов при 300 K и более 1,05×10^10 при 250 K при 2Pr ≥ 200 мкКл/см².
Как удержали ресурс. Периодические AlN-слои ограничивают перемещение и скопление вакансий азота, поэтому препятствуют формированию проводящих каналов. Плёнка состояла из пяти периодов по 25 нм AlScN и 8 нм AlN, финального слоя AlScN толщиной 25 нм и имела общую толщину около 190 нм.
Условия теста. Суперрешётку осаждали методом sputtering при 200 °C. Для AlScN использовали N2:Ar 160:32 sccm и 5 кВт DC, для AlN 95:15 sccm и 6 кВт DC. Endurance-тест шёл биполярными импульсами 100 кГц и 5,3 MV/cm, а recovery добавлял 1000 циклов импульсов в тех же условиях. После 10^9 циклов деградация остаточной поляризации оставалась ниже 3%.
Результаты опубликованы в Science 10 сентября 2026 года.
Первоисточник
