17 сентября 2026 г.
DDR5 Samsung будут собирать на стороне: собственные линии уходят под HBM
15 сентября 2026 года Samsung планирует передать OSAT-партнёрам весь прирост выпуска стандартной памяти: DDR5 и SSD для ПК, серверов и ноутбуков. Площадки в Cheonan и Onyang переводят пространство и оборудование на advanced packaging, включая HBM. Речь о сборке модулей из готовых DRAM- и NAND-чипов на платы.
С июня 2025 года Samsung просит партнёров инвестировать в линии DDR5 и SSD. В 2026 году компания ускоряет эти расширения.
Dreamtech массово выпускает DDR5 в Индии с ноября 2025 года. После расширения Noida Plant 1 компания рассчитывает превысить 50 млн модулей в год. Hanyang Digitech вложила более 31,5 млрд вон в оборудование и автоматизацию вьетнамского завода в I полугодии 2026 года.
Мощности уходят в HBM. В сентябре 2026 года Samsung планирует начать в Onyang строительство HBM-завода за 6 трлн вон. Строительство займёт несколько лет. Компания также расширяет производство HBM4 и ожидает, что выручка от HBM в 2026 году вырастет более чем втрое относительно 2025 года.
Строящийся backend-завод Samsung во Вьетнаме за $1,5 млрд будет тестировать DDR4, LPDDR4, NAND и UFS. SFA Semicon переносит оборудование для тестирования DDR5 и сборки модулей из Onyang на Филиппины: первая очередь запланирована на ноябрь 2026 года, вторая на II квартал 2027 года.
Первая очередь переноса оборудования SFA запланирована на ноябрь 2026 года, а строительство HBM-завода в Onyang займёт несколько лет.
Первоисточник
