14 октября 2026 г.
У Китая появился свой источник EUV: 15 Вт у прототипа против сотен ватт для завода
Landau Flint показала в Шанхае источник EUV со своей начинкой на 90%, но до серийной машины ему ещё 3–5 лет.

Самый дефицитный узел производства чипов собрали в Шанхае: источник EUV на 15 Вт.
Прототип показали 14.10.2026 на 26-й промышленной выставке, локализацию системы разработчик оценил в 90%. Источник EUV входит в три главных компонента для выпуска чипов 7 нм и ниже.
Не хотите разбираться сами? Внедряем ИИ в ваш бизнес: задачи без лимита, одна цена в месяц, отмена в любой момент.
Что в стенде. Система FlintNano LPP-OXXO работает от драйверного лазера на 1000 Вт с частотой 1–20 кГц. В EUV уходит больше 2% мощности, на выходе получается больше 15 Вт, непрерывная работа держится свыше 100 часов при размере плазмы 60 мкм.
До завода далеко. Коммерческому сканеру нужен источник на сотни ватт, то есть в десятки раз мощнее. Показанный образец пригоден для тестовой экспонировки чипов: стабильность плазмы 3% RMS, стабильность энергии 5%, яркость 100 Вт/мм²·ср. Liberation Daily пишет, что на мощность и долговременную стабильность уйдёт ещё 3–5 лет.
Раньше источники EUV поставляли только зарубежные производители, и китайских публичных образцов такого уровня не было. Теперь образец есть, и собрала его компания двух лет от роду. Landau Flint зарегистрировали в августе 2024 на наработках лаборатории газоразрядной плазмы Университета Цинхуа, основал её доктор Ван Хао.
Деньги компания собрала за год в три захода: ангельский раунд в октябре 2025, angel+ в январе 2026 и раунд A в июле 2026 с Woyan Capital и SMIC Capital.
Серийный источник компания ждёт через 3–5 лет, и к нему нужно поднять мощность с 15 Вт до сотен ватт.
Первоисточник