19 октября 2026 г.
NVHBM: Samsung выпустит её на 3-нм кристаллах TSMC, свой 2-нм придёт позже
Samsung выпустит NVHBM для Nvidia на 3-нм базовых кристаллах TSMC, а не на своих. Собственный 2-нм, по плану, придёт позже.
Samsung, вечный соперник TSMC, будет выпускать память Nvidia на базовых кристаллах TSMC.
До HBM4E включительно базовые кристаллы HBM делали по 4-нм техпроцессу, а для HBM5 Samsung готовит собственный 2-нм (eDaily, 4 июня). Теперь NVHBM переносит контроллер памяти из кристалла ускорителя в базовый кристалл HBM. По заявлению Nvidia, это до +30% пропускной способности, на 15% меньше мощности, чем у HBM4E, и до 25% освобождённой площади кристалла XPU (блог Nvidia, 26 августа).
Не хотите разбираться сами? Внедряем ИИ в ваш бизнес: задачи без лимита, одна цена в месяц, отмена в любой момент.
Выход годных решает. Nvidia требует выход годных базовых кристаллов выше 90%. TSMC это обеспечивает, а Samsung, по оценке Seoul Economic Daily, пока около 60%. На первых этапах Samsung берёт 3-нм кристаллы TSMC, собственный 2-нм придёт позже.
Спрос большой. По оценке UBS, спрос на HBM в 2027 году вырастет на 91%, и поставщики смогут закрыть около 90% этого спроса (3DNews со ссылкой на UBS, 19 октября).
Производство NVHBM у Samsung ожидается в 2027 году, тогда станет видно, закроет ли она требование Nvidia в 90% годных.
Первоисточник