22 октября 2026 г.
Мощность стойки ИИ-дата-центров приближается к 1 МВт: Infineon и Nvidia разрабатывают GaN-преобразователи
По заявлению Infineon, GaN-транзисторы в промежуточном каскаде на 800 В переключаются на частоте до 1 МГц (iXBT, 22.10.2026). Такой каскад понижает общую шину до напряжения, которое нужно ступеням, питающим сами ускорители. Высокая частота позволяет брать магнитные компоненты меньше и делать платы ниже, а энергопотребление отдельных стоек уже приближается к мегаватту.
В мае 2025 года Infineon и Nvidia договорились о обслуживаемых стойках на 800 В постоянного тока с горячей заменой. Теперь фокус сместился на преобразование высокого напряжения для самих ускорителей. Готовый референс уже есть: в марте Infineon показала преобразование 800 В в 50 В на CoolGaN 650 В, 6 кВт непрерывно при КПД более 98% при полной нагрузке (Power Electronics News, 18.03.2026).
Не хотите разбираться сами? Внедряем ИИ в ваш бизнес: задачи без лимита, одна цена в месяц, отмена в любой момент.
Что в портфеле. Infineon выпускает преобразование 800 В в 50, 12 и 6 В, контроллеры PSoC Control C3 и драйверы EiceDRIVER. Помимо нитрида галлия, компания делает аналогичные решения на кремнии и карбиде кремния. Сроки совместных разработок с Nvidia и характеристики будущих серийных устройств в объявлении не названы.
Архитектура на 800 В пока считается дополнительным вариантом рядом с переменным и низковольтным постоянным питанием.
Первоисточник