23 октября 2026 г.
Флеш-память перескакивает поколение: Micron обещает 400+ слоёв вместо 276
Micron пропускает десятое поколение флеш-памяти: новая 3D NAND G11 получит более 400 слоёв против 276 у нынешней G9. Компания обещает передачу данных на 50% быстрее и меньший расход энергии, в том числе для будущих ИИ-систем.
Micron пропускает десятое поколение флеш-памяти: новая 3D NAND G11 получит более 400 слоёв против 276 у нынешней G9. Компания обещает передачу данных на 50% быстрее и меньший расход энергии, в том числе для будущих ИИ-систем.
Проверить обещание по скорости можно будет только при массовом выпуске во второй половине 2027 года.
Первоисточник